FF200R12KT3EHOSA1

FF200R12KT3EHOSA1图片1
FF200R12KT3EHOSA1图片2
FF200R12KT3EHOSA1图片3
FF200R12KT3EHOSA1图片4
FF200R12KT3EHOSA1概述

Infineon FF200R12KT3EHOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装

IGBT 模块,

**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。

IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。

封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


得捷:
IGBT MODULE 1200V 1050W


欧时:
Infineon FF200R12KT3EHOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 7-Pin 62MM-1 Tray


TME:
3-level NPC2; Urmax:1.2kV; Ic:200A; P:1.05kW; Ifsm:400A; screw


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 7-Pin 62MM-1 Tray


FF200R12KT3EHOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1050000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 14nF @25V

额定功率Max 1050 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1050000 mW

封装参数

引脚数 7

封装 AG-62MM-1

外形尺寸

长度 106.4 mm

宽度 61.4 mm

高度 29 mm

封装 AG-62MM-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Solar, Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Induction Heating

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FF200R12KT3EHOSA1引脚图与封装图
FF200R12KT3EHOSA1电路图
在线购买FF200R12KT3EHOSA1
型号: FF200R12KT3EHOSA1
描述:Infineon FF200R12KT3EHOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司