IXGH32N60AU1

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IXGH32N60AU1概述

IGBT 600V 60A 200W TO247AD

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

Features

●International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD

● High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package

●High current handling capability

●2nd generation HDMOSTM process

●MOS Gate turn-on

   - drive simplicity

Applications

●AC motor speed control

●DC servo and robot drives

●DC choppers

●Uninterruptible power supplies UPS

●Switched-mode and resonant-mode power supplies

IXGH32N60AU1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 60.0 A

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH32N60AU1
型号: IXGH32N60AU1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 600V 60A 200W TO247AD
替代型号IXGH32N60AU1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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