IGBT 模块 330V 50A D2PAK
IGBT 沟道 表面贴装型 D2PAK
得捷: IGBT 330V 50A 114W D2PAK
贸泽: IGBT 模块 330V 50A D2PAK
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 330V 50A 114000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
耗散功率 114000 mW
击穿电压集电极-发射极 330 V
额定功率Max 114 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 114000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册