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IXSN52N60AU1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 PT 单路底座安装 SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 600V 80A 250W SOT227B

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 4-Pin SOT-227B

IXSN52N60AU1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.5nF @25V

额定功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSN52N60AU1

型号： IXSN52N60AU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 4Pin SOT-227B

替代型号IXSN52N60AU1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IXSN52N60AU1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXXN100N60B3H1

IXYS Semiconductor

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