IXGH12N60BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH12N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT 600V 24A 100W Through Hole TO-247AD IXGH

得捷:
IGBT 600V 24A 100W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 24 Amps 600V 2.1 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 600V 24A 100W TO247AD

IXGH12N60BD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH12N60BD1

型号： IXGH12N60BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3Pin3+Tab TO-247AD

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