














INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7342TRPBF 场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
e络盟:
场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -55V; RDSON 0.105Ohm; ID -3.4A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
额定电压DC -55.0 V
额定电流 -3.40 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.095 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7342
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 -55.0 V
连续漏极电流Ids -3.40 A
输入电容Ciss 690pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -50℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7342TRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4943BDY-T1-E3 威世 | 功能相似 | IRF7342TRPBF和SI4943BDY-T1-E3的区别 |