IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF图片1
IRF7342TRPBF图片2
IRF7342TRPBF图片3
IRF7342TRPBF图片4
IRF7342TRPBF图片5
IRF7342TRPBF图片6
IRF7342TRPBF图片7
IRF7342TRPBF图片8
IRF7342TRPBF图片9
IRF7342TRPBF图片10
IRF7342TRPBF图片11
IRF7342TRPBF图片12
IRF7342TRPBF图片13
IRF7342TRPBF图片14
IRF7342TRPBF图片15
IRF7342TRPBF概述

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7342TRPBF  场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC

**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


e络盟:
场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -55V; RDSON 0.105Ohm; ID -3.4A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC


IRF7342TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -55.0 V

额定电流 -3.40 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.095 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

产品系列 IRF7342

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 -55.0 V

连续漏极电流Ids -3.40 A

输入电容Ciss 690pF @25VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IRF7342TRPBF
型号: IRF7342TRPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7342TRPBF  场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
替代型号IRF7342TRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRF7342TRPBF

International Rectifier 国际整流器

当前型号

当前型号

SI4943BDY-T1-E3

威世

功能相似

IRF7342TRPBF和SI4943BDY-T1-E3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司