对比图
型号 IRF7342TRPBF SI4943BDY-T1-E3 IRF7342PBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7342TRPBF 场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETINFINEON IRF7342PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.4 A, -55 V, 105 mohm, -10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - - 2 W
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.095 Ω 19 mΩ 0.105 Ω
极性 P-Channel Dual P-Channel P-CH
耗散功率 2 W 2 W 2 W
阈值电压 1 V - 1 V
漏源极电压(Vds) 55 V 20 V 55 V
连续漏极电流(Ids) -3.40 A -8.40 A 3.4A
上升时间 - 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 690pF @25V(Vds) - 690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 1.1 W 2 W
下降时间 - 60 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 2 W
反向恢复时间 - 55 ns -
正向电压(Max) - 1.2 V -
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
额定电压(DC) -55.0 V - -
额定电流 -3.40 A - -
产品系列 IRF7342 - -
漏源击穿电压 -55.0 V - -
长度 5 mm - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - - Silicon
工作温度 -50℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -