IS42VM16400K-75BLI

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IS42VM16400K-75BLI概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54

SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb(4M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 64Mbit 4Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 4Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 4Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 64Mbit 4Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


IS42VM16400K-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 55 mA

存取时间 6 ns

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42VM16400K-75BLI
型号: IS42VM16400K-75BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54
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IS42VM16400K-75BLI和IS42VM16400M-75BLI的区别

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