IRF620

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IRF620中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 6.00 A

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IRF620引脚图与封装图
IRF620引脚图
IRF620封装图
IRF620封装焊盘图
在线购买IRF620
型号: IRF620
描述:N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
替代型号IRF620
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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