对比图
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorN - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORSSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 5.50 A 6.00 A 7.00 A
额定功率 40 W - -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 600 mΩ 100 mΩ 400 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 70 W 40 W
输入电容 530 pF - 840 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 6.00 A 7.00 A
上升时间 40 ns 30 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 40 W 70 W -
下降时间 30 ns 45 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 70W (Tc) 40W (Tc)
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 15.65 mm 9.15 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free