IS42VM16400M-75BLI

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IS42VM16400M-75BLI概述

动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 4Mx16, 133Mhz, RoHS

SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb(4M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


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IS42VM16400M 75BLI


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IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA


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DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 4Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


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DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


IS42VM16400M-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 55 mA

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 7.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42VM16400M-75BLI
型号: IS42VM16400M-75BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 4Mx16, 133Mhz, RoHS
替代型号IS42VM16400M-75BLI
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