IXYS SEMICONDUCTOR IXFP4N100Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 5 V
The is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
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- International standard package
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- Low QG
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- Low RDS ON
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- Low drain-to-tab capacitance
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- Low package inductance
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- Easy to mount
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- Space savings
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- High power density
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 1 kV
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 15 ns
反向恢复时间 250 ns
输入电容Ciss 1050pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, 工业, 照明, Industrial, 电源管理, Power Management, Thermal Management, 热管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFP4N100Q IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | IXFP4N100Q和STP55NF06的区别 |
STP60NF06 意法半导体 | 功能相似 | IXFP4N100Q和STP60NF06的区别 |
STP5NK100Z 意法半导体 | 功能相似 | IXFP4N100Q和STP5NK100Z的区别 |