对比图
型号 IXFP4N100Q STP60NF06 2SK1119(F)
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFP4N100Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VTOSHIBA 2SK1119(F) 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 3.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 60.0 A -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 3 Ω 0.016 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 156 W 110 W 100 W
阈值电压 5 V 2 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 60 V 1000 V
漏源击穿电压 1000 V 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 60.0 A 4.00 A
上升时间 15 ns 108 ns -
输入电容(Ciss) 1050pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 110 W 100 W
下降时间 18 ns 20 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) 100W (Tc)
额定功率 - - 100 W
反向恢复时间 250 ns - -
长度 10.66 mm 10.4 mm -
宽度 4.83 mm 4.6 mm -
高度 9.15 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -