IPB120P04P404ATMA1

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IPB120P04P404ATMA1概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -3 V

Summary of Features:

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P-channel - Normal Level - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green package RoHS compliant
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100% Avalanche tested

Benefits:

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No charge pump required for high side drive.
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Simple interface drive circuit
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World"s lowest RDSon at 40V
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Highest current capability
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Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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Robust packages with superior quality and reliability
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Standard packages TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

Target Applications:

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High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors
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Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump

Simulation/SPICE-Model

IPB120P04P404ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 P-CH

耗散功率 136 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 14790pF @25VVds

下降时间 52 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPB120P04P404ATMA1
型号: IPB120P04P404ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -3 V
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