PG-TO220 整包
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
额定功率 34 W
极性 N-CH
耗散功率 34 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1620pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPA65R190C6XKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPA20N65C3 英飞凌 | 类似代替 | IPA65R190C6XKSA1和SPA20N65C3的区别 |