对比图
型号 IPA65R190C6XKSA1 SPA20N65C3
描述 PG-TO220 整包新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 34 W -
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 34 W 34.5 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.7 A
上升时间 12 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1620pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 34W (Tc) 34.5W (Tc)
额定电压(DC) - 650 V
额定电流 - 20.7 A
通道数 - 1
输入电容 - 2.40 nF
栅电荷 - 114 nC
额定功率(Max) - 34.5 W
长度 10.65 mm 10.65 mm
宽度 4.85 mm 4.85 mm
高度 16.15 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free