N沟道 30V 50A
表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
立创商城:
N沟道 30V 50A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab TO-252
极性 N-CH
耗散功率 136W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50N03S207ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD50N03S207GBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50N03S207ATMA1和SPD50N03S207GBTMA1的区别 |