对比图
型号 IPD50N03S207ATMA1 SPD50N03S207GBTMA1
描述 N沟道 30V 50ADPAK N-CH 30V 50A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 136W (Tc) 136 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A
上升时间 40 ns 36 ns
输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 2170pF @25V(Vds)
下降时间 30 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc)
额定功率 - 136 W
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 无铅 无铅