TO-263AA N-CH 1000V 1.5A
表面贴装型 N 通道 1000 V 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-263AA
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
贸泽:
MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.5A 3-Pin2+Tab TO-263AA
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin2+Tab TO-263AA
极性 N-CH
耗散功率 54 W
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 54 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 54W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTA1N100 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP1N100 IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXTA1N100和IXTP1N100的区别 |
IXTA1R4N100P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTA1N100和IXTA1R4N100P的区别 |
IXTH1N100 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTA1N100和IXTH1N100的区别 |