IXTH3N150

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IXTH3N150概述

N沟道 1.5kV 3A

通孔 N 通道 3A(Tc) 250W(Tc) TO-247(IXTH)


立创商城:
N沟道 1.5kV 3A


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 3A TO247


贸泽:
MOSFET High Voltage Power MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247


IXTH3N150中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7.3 Ω

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 1500 V

漏源击穿电压 1500 V

输入电容Ciss 1375pF @25VVds

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH3N150
型号: IXTH3N150
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 1.5kV 3A

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