IXTP08N100D2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP08N100D2概述

N沟道 1kV 800mA

N-Channel 1000V 800mA Tc 60W Tc Through Hole TO-220AB

立创商城:
N沟道 1kV 800mA

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXTP08N100D2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 57 ns

输入电容Ciss 325pF @25VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP08N100D2

型号： IXTP08N100D2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 1kV 800mA