IXFP16N50P 系列 500 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET
通孔 N 通道 500 V 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
贸泽:
MOSFET 500V 16A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
额定电压DC 500 V
额定电流 16.0 A
通道数 1
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
输入电容 2.25 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFP16N50P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTA16N50P IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXFP16N50P和IXTA16N50P的区别 |
IXTP16N50P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFP16N50P和IXTP16N50P的区别 |
IXFA16N50P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFP16N50P和IXFA16N50P的区别 |