INFINEON IDW40G65C5FKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247
thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，
Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
降低的 EMI
得捷:
DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3
欧时:
Infineon 二极管 IDW40G65C5FKSA1 肖特基, Io=40A, Vrev=650V, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin TO-247 Tube
富昌:
IDW40G65C5 系列 650V 40A 第5代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-247-3
Chip1Stop:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Diode: Schottky rectifying; 650V; 20A; 103A; CoolSiC™ 5G, SiC
Verical:
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# INFINEON IDW40G65C5FKSA1 Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, thinQ 5G 650V Series, Single, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247
额定功率 112 W
正向电压 1.7V @40A
耗散功率 183 W
反向恢复时间 0 ns
正向电流 40 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 182 A
正向电压Max 2.1 V
正向电流Max 40000 mA
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Each
制造应用 替代能源, 通信与网络, 电机驱动与控制, Consumer Electronics, 照明, 消费电子产品, Lighting, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IDW40G65C5FKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IDW20G65C5FKSA1 英飞凌 | 类似代替 | IDW40G65C5FKSA1和IDW20G65C5FKSA1的区别 |