IPAN50R500CEXKSA1

IPAN50R500CEXKSA1图片1
IPAN50R500CEXKSA1概述

N-CH 500V 11.1A

Summary of Features:

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Reduced energy stored in output capacitance E oss
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High body diode ruggedness
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Reduced reverse recovery charge Q rr
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Reduced gate charge Q g

Benefits:

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Easy control of switching behavior
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Better light load efficiency compared to previous CoolMOS™ generations
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Cost attractive alternative compared to standard MOSFETs
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Outstanding quality and reliability of CoolMOS™ technology

Target Applications:

 

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Consumer
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Lighting
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PC silverbox
IPAN50R500CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 28 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 11.1A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 433pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 28000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPAN50R500CEXKSA1
型号: IPAN50R500CEXKSA1
描述:N-CH 500V 11.1A

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