IPA60R099C7XKSA1

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IPA60R099C7XKSA1概述

N沟道 600V 12A

N-Channel 600V 12A Tc 33W Tc Through Hole PG-TO220-FP


得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP


立创商城:
N沟道 600V 12A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP / N-Channel 600 V 12A Tc 33W Tc Through Hole PG-TO220-FP


IPA60R099C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 33W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 1819pF @400VVds

下降时间 7.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPA60R099C7XKSA1
型号: IPA60R099C7XKSA1
描述:N沟道 600V 12A

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