J174,126概述
Trans JFET P-CH 30V 135mA Si 3Pin SPT Ammo
JFET P 通道 通孔 TO-92
得捷:
JFET P-CH 30V TO92-3
艾睿:
Trans JFET P-CH 30V 135mA Si 3-Pin SPT Ammo
J174,126中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 85 Ω
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 8pF @10VVgs
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
替代型号J174,126
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
J174,126 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMBFJ174,215 恩智浦 | 功能相似 | J174,126和PMBFJ174,215的区别 |