PMBFJ174,215和J174,126

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBFJ174,215 J174,126 2N5116

描述 NXP  PMBFJ174,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFETTrans JFET P-CH 30V 135mA Si 3Pin SPT AmmoJFET P-CH 30V 0.5W(1/2W) TO18

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Central Semiconductor

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-226-3 TO-206

击穿电压 30.0 V - -

漏源极电阻 85 Ω 85 Ω 150 Ω

极性 P-Channel - -

耗散功率 300 mW 300 mW 500 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 30 V 30 V -

栅源击穿电压 30 V 30 V -

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs) 25pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 400 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 500 mW

长度 3 mm 4.8 mm -

宽度 1.4 mm 4.2 mm -

高度 1 mm 5.2 mm -

封装 SOT-23-3 TO-226-3 TO-206

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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