JAN2N6800

JAN2N6800概述

每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

通孔 N 通道 400 V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39


得捷:
MOSFET N-CH 400V 3A TO39


Win Source:
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39


JAN2N6800中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 800mW Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 400 V

额定功率Max 800 mW

耗散功率Max 800mW Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N6800
型号: JAN2N6800
描述:每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
替代型号JAN2N6800
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