对比图
型号 IRFF330 JAN2N6800
描述 场效应管, MOSFET, N沟道, 400V, 3A TO-205AF每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 -
封装 TO-205 TO-205
安装方式 - Through Hole
针脚数 3 -
漏源极电阻 1 Ω -
耗散功率 25 W 800mW (Ta), 25W (Tc)
阈值电压 4 V -
漏源极电压(Vds) 400 V 400 V
上升时间 35 ns -
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) -
下降时间 35 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 25000 mW 800mW (Ta), 25W (Tc)
额定功率(Max) - 800 mW
封装 TO-205 TO-205
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 - Bulk
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead