L14N1概述
HERMETIC硅光电晶体管 HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
Phototransistors 880nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
得捷:
PHOTO TRANSISTOR, 940NM, 0.05A
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin TO-18 Bulk
Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin TO-18 Bulk
L14N1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 30.0 V
波长 880 nm
视角 80°
峰值波长 940 nm
耗散功率 600 mW
上升时间 10.0 µs
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 300 mW
下降时间 16 µs
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-206
外形尺寸
高度 6.48 mm
封装 TO-206
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买L14N1