LNA2904L参数规格_中文资料_数据手册PDF

LNA2904L概述

砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode

Infrared IR Emitter 950nm 1.35V 100mA 10mW/sr @ 50mA 40° T 1 3/4

得捷:
EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

LNA2904L中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.35 V

波长 950 nm

视角 40°

正向电流 100 mA

正向电流Max 100 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 T 1 3/4

外形尺寸

封装 T 1 3/4

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： LNA2904L

描述：砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode