LCMXO640E-4FTN256C参数规格_中文资料_数据手册PDF

LCMXO640E-4FTN256C概述

LATTICE SEMICONDUCTOR LCMXO640E-4FTN256C CPLD, FLASH, 320, 159 I/O"s, BGA, 256Pins, 550MHz

MachXO Field Programmable Gate Array FPGA IC 159 640 256-LBGA

得捷:
IC FPGA 159 I/O 256FTBGA

立创商城:
LCMXO640E 4FTN256C

贸泽:
FPGA - Field Programmable Gate Array 640 LUTs 159 IO 1.2V -4 Spd

艾睿:
CPLD MachXO Family 320 Macro Cells 1.2V 256-Pin FTBGA Tray

Chip1Stop:
CPLD MachXO Family 320 Macro Cells 1.2V 256-Pin FTBGA Tray

LCMXO640E-4FTN256C中文资料参数规格

技术参数

频率 550 MHz

电源电压DC 1.14V min

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.14V ~ 1.26V

电源电压Max 1.26 V

电源电压Min 1.14 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 256

封装 FTBGA-256

外形尺寸

长度 17 mm

宽度 17 mm

高度 1.25 mm

封装 FTBGA-256

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LCMXO640E-4FTN256C引脚图与封装图

在线购买LCMXO640E-4FTN256C

型号： LCMXO640E-4FTN256C

描述：LATTICE SEMICONDUCTOR LCMXO640E-4FTN256C CPLD, FLASH, 320, 159 I/O"s, BGA, 256Pins, 550MHz

替代型号LCMXO640E-4FTN256C

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
LCMXO640E-4FTN256C Lattice Semiconductor 莱迪思	当前型号	当前型号
LCMXO640E-4FT256C 莱迪思	完全替代	LCMXO640E-4FTN256C和LCMXO640E-4FT256C的区别
LCMXO640E-3FTN256I 莱迪思	类似代替	LCMXO640E-4FTN256C和LCMXO640E-3FTN256I的区别
LCMXO640E-4FN256C 莱迪思	类似代替	LCMXO640E-4FTN256C和LCMXO640E-4FN256C的区别