LTE-3376概述
LTE-3376 系列 1.6 V 30° 100 mA 850 nm 通孔 IR 发射器和探测器
Infrared IR Emitter 850nm 1.6V 80mA 30mW/sr @ 50mA 30° Radial
得捷:
EMITTER IR 850NM 80MA RADIAL
艾睿:
Infrared Emitter 850nm 45mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4
儒卓力:
**IR-EMITTING DIODE 850NM, 5MM **
LTE-3376中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 0.03 µs
正向电压 1.6 V
波长 850 nm
视角 30°
峰值波长 850 nm
耗散功率 200 mW
测试电流 50 mA
正向电流 80 mA
正向电压Max 2 V
正向电流Max 80 mA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
外形尺寸
封装 T-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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