LB770D

LB770D中文资料参数规格
技术参数

波长 470 nm

耗散功率 125 mW

正向电流Max 30 mA

耗散功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -30℃ ~ 85℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买LB770D
型号: LB770D
制造商: Seoul Semiconductor 首尔半导体
描述:标准LED-通孔 Blue

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