MMBFJ112

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ112  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, SOT-23, JFET

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 35v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -35v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 5ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -1~-5v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. 描述与应用| N沟道开关 该设备是专为低级别的模拟开关，采样 保持电路和斩波稳定放大器。

欧时:
### N 通道 JFET，Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。

艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R

富昌:
MMBF系列 N沟道 35 V 5 mA 表面贴装 低噪声 放大器 开关 - SOT-23-3

TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 350mW; SOT23; 50mA

Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ112  JFET Transistor, Junction Field Effect, -35 V, 5 mA, -5 V, SOT-23, JFET

Win Source:
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23