MMBFJ112和TIS74

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ112 TIS74 MMBFJ112D87Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ112  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, SOT-23, JFETN沟道通用放大器 N-Channel General Purpose AmplifierSmall Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 SOT-23-3 TO-226-3 -

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 35.0 V 30.0 V -

额定电流 5.00 mA 50.0 mA -

漏源极电阻 50 Ω 40 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 350 mW 350 mW -

漏源极电压(Vds) 35.0 V 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 mA 10.0 mA -

击穿电压 35 V 30 V -

输入电容(Ciss) - 18pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) 350 mW 350 mW -

击穿电压 -35.0 V - -

栅源击穿电压 35.0 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-23-3 TO-226-3 -

长度 2.92 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.93 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 ECL99 EAR99 -

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