对比图
型号 MMBFJ112 TIS74 MMBFJ112D87Z
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ112 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, SOT-23, JFETN沟道通用放大器 N-Channel General Purpose AmplifierSmall Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET,
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 JFET晶体管JFET晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole -
封装 SOT-23-3 TO-226-3 -
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 35.0 V 30.0 V -
额定电流 5.00 mA 50.0 mA -
漏源极电阻 50 Ω 40 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 350 mW 350 mW -
漏源极电压(Vds) 35.0 V 30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.00 mA 10.0 mA -
击穿电压 35 V 30 V -
输入电容(Ciss) - 18pF @10V(Vgs) -
额定功率(Max) 350 mW 350 mW -
击穿电压 -35.0 V - -
栅源击穿电压 35.0 V - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 SOT-23-3 TO-226-3 -
长度 2.92 mm - -
宽度 1.3 mm - -
高度 0.93 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 ECL99 EAR99 -