MUBW10-06A6参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUBW10-06A6概述

Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 45000mW 25Pin

IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 11A 45W Chassis Mount E1

得捷:
IGBT MODULE 600V 11A 45W E1

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 25-Pin

MUBW10-06A6中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies .435nF @25V

额定功率Max 45 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 45000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 25

封装 E1

外形尺寸

高度 17.1 mm

封装 E1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW10-06A6

型号： MUBW10-06A6

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 45000mW 25Pin