双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
立创商城:
MUN5112DW1T1G
得捷:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
TME:
Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 187mW; SOT363; R1:22kΩ
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
封装 TSSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5112DW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5112T1G 安森美 | 功能相似 | MUN5112DW1T1G和MUN5112T1G的区别 |
MUN5112DW1T1 乐山无线电 | 功能相似 | MUN5112DW1T1G和MUN5112DW1T1的区别 |