MUN5112DW1T1G和MUN5112T1G

对比图

型号 MUN5112DW1T1G MUN5112T1G MUN5112DW1T1

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorDual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 3 -

封装 TSSOP-6 SC-70-3 -

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 PNP PNP -

耗散功率 0.385 W 0.31 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 -

额定功率(Max) 250 mW 202 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 385 mW 310 mW -

长度 - 2.1 mm -

宽度 - 1.24 mm -

高度 - 0.85 mm -

封装 TSSOP-6 SC-70-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -