RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, M216, 4Pin
RF NPN 65V 24A 960MHz ~ 1.215GHz 940W 底座安装 M216
得捷: RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216
艾睿: Trans RF BJT 24A 4-Pin Case M-216
击穿电压集电极-发射极 65 V
增益 7.6 dB
最小电流放大倍数hFE 10 @5A, 5V
额定功率Max 940 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 940000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 M-216
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册