MPSH10G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPSH10G概述

VHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon

**Features**

• Pb−Free Packages are Available

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得捷:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF/UHF NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin TO-92 Box

Allied Electronics:
SS T092 RF XSTR NPN 25V -LEAD FREE

安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin TO-92 Box

Verical:
Trans RF BJT NPN 25V 350000mW 3-Pin TO-92 Box

DeviceMart:
TRANS NPN VHF/UHF SS 25V TO92

MPSH10G中文资料参数规格

技术参数

频率 650 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 4.00 mA

极性 NPN

耗散功率 350 W

增益频宽积 650 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

热阻 125℃/W RθJC

最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSH10G

型号： MPSH10G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：VHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon

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替代型号MPSH10G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MPSH10G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BFS17P 英飞凌	类似代替	MPSH10G和BFS17P的区别
KSP10BU 飞兆/仙童	功能相似	MPSH10G和KSP10BU的区别
MMBT918 NTE Electronics	功能相似	MPSH10G和MMBT918的区别