KSP10BU和MPSH10G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP10BU MPSH10G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSP10BU  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 1 W, 60 hFEVHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3

频率 650 MHz 650 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V

额定电流 100 mA 4.00 mA

极性 NPN NPN

耗散功率 1 W 350 W

增益频宽积 - 650 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V

热阻 - 125℃/W (RθJC)

最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 @4mA, 10V

额定功率(Max) 350 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W 350000 mW

针脚数 3 -

直流电流增益(hFE) 60 -

长度 4.58 mm 5.2 mm

宽度 3.86 mm 4.19 mm

高度 4.58 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99

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