MMBTA92 系列 300 V 300 mA PNP 硅 高压 晶体管 - SOT-23-3
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
频率 50 MHz
额定电压DC -300 V
额定电流 -300 mA
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1.12 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTA92-TP Micro Commercial Components 美微科 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA92LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBTA92-TP和MMBTA92LT1G的区别 |
MMBTA92 飞兆/仙童 | 功能相似 | MMBTA92-TP和MMBTA92的区别 |
MMBTA92LT3G 安森美 | 功能相似 | MMBTA92-TP和MMBTA92LT3G的区别 |