MUN5134DW1T1G

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MUN5134DW1T1G概述

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363


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MUN5134DW1T1G


得捷:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


MUN5134DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5134DW1T1G
型号: MUN5134DW1T1G
描述:双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
替代型号MUN5134DW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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