MUN5133DW1T1G和MUN5134DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5133DW1T1G MUN5134DW1T1G MUN5133DW1T1

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsDual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SC-88-6 TSSOP-6 -

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 PNP, P-Channel PNP -

耗散功率 0.385 W 0.385 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW -

封装 SC-88-6 TSSOP-6 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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