MUR1100EG

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MUR1100EG概述

ON SEMICONDUCTOR  MUR1100EG.  快速恢复功率整流器

整流器,1A 至 1.5A,

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


立创商城:
MUR1100EG


得捷:
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL


欧时:
整流器二极管,1A 至 1.5A,ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


贸泽:
Rectifiers 1000V 1A UltraFast


艾睿:
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 Bag


Allied Electronics:
Diode; Rectifier; Ultrafast; Vr 1000V; If 1A; Pkg Case 59; Vf 1.75V; Trr 100ns; Cs 35A


Jameco:
Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 1K Volt 1A 2-Pin DO-41 Bag


安富利:
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag


Chip1Stop:
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag


Verical:
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 Bag


Newark:
Fast / Ultrafast Power Diode, 1 kV, 1 A, Single, 1.75 V, 75 ns, 35 A


Win Source:
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL


MUR1100EG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤1.00 A

正向电压 1.75 V

极性 Standard

热阻 87 ℃/W

反向恢复时间 100 ns

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 35 A

正向电压Max 1.75 V

正向电流Max 1 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 2.7 mm

高度 5.2 mm

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Power Management, Industrial, 工业, Power Management, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MUR1100EG引脚图与封装图
MUR1100EG引脚图
MUR1100EG封装焊盘图
在线购买MUR1100EG
型号: MUR1100EG
描述:ON SEMICONDUCTOR  MUR1100EG.  快速恢复功率整流器
替代型号MUR1100EG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUR1100EG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MUR1100E

安森美

完全替代

MUR1100EG和MUR1100E的区别

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安森美

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功能相似

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