MJE181STU

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MJE181STU中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 3.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 12.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE181STU
型号: MJE181STU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号MJE181STU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE181STU

Fairchild 飞兆/仙童

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KSE181STU

飞兆/仙童

完全替代

MJE181STU和KSE181STU的区别

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