KSE181STU和MJE181STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSE181STU MJE181STU

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial SilNPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 - 50 MHz

额定电压(DC) - 60.0 V

额定电流 - 3.00 A

极性 NPN NPN

耗散功率 1.5 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 12.5 W

最大电流放大倍数(hFE) 250 -

长度 8 mm 8 mm

宽度 3.25 mm 3.25 mm

高度 11 mm 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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