

















ON SEMICONDUCTOR MJD210T4G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE
PNP 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MJD210T4G , PNP 晶体管, 5 A, Vce=25 V, HFE:10, 10 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
TRANS PNP 25V 5A DPAK
立创商城:
MJD210T4G
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
e络盟:
单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
MJD 系列 25 V 5 A Tab 安装 PNP 互补 塑料 功率晶体管 TO-252
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD210T4G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE
Win Source:
TRANS PNP 25V 5A DPAK
DeviceMart:
TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
频率 65 MHz
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -5.00 A
针脚数 4
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.4 W
增益频宽积 65 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD210T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
KSH210TF 安森美 | 完全替代 | MJD210T4G和KSH210TF的区别 |
MJD210TF 安森美 | 完全替代 | MJD210T4G和MJD210TF的区别 |
KSH210TM 安森美 | 完全替代 | MJD210T4G和KSH210TM的区别 |