MJD210T4G和MJD210TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD210T4G MJD210TF MJD210RLG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD210T4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFETransistor, Bjt, Pnp, 25V v(Br)Ceo, 5A i(c), To-252aaON SEMICONDUCTOR  MJD210RLG  双极性晶体管, PNP, -25V D-PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 1.4 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW 1400 mW

频率 65 MHz - 65 MHz

额定电压(DC) -25.0 V - -25.0 V

额定电流 -5.00 A - -5.00 A

针脚数 4 - 3

极性 PNP, P-Channel - NPN, PNP

耗散功率 1.4 W - 12.5 W

集电极最大允许电流 5A - 5A

直流电流增益(hFE) 70 - 70

增益频宽积 65 MHz - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.38 mm - 2.38 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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